DH2008

微波CVD薄膜制备装置

本装置由公司和武汉工程大学联合研制。由微波源、真空系统、供气系统、微波传输及微波谐振腔等部分组成。适合大学近现代物理、材料、化学等领域进行微波CVD原理与方法的教学、研究，金刚石与类金刚石薄膜制备实验及科学研究，以及用于生长碳纳米管、氮化硅、碳化硅等超硬膜，具有生长速度快、操作简便、性价比高等优点。同时可完成等离子体刻蚀加工实验、微波等离子体表面改性等实验。

一般理论性验证的微波CVD设备，往往实际成膜困难或成膜品质很难控制。本装置融入了金刚石薄膜制备领域多位专家二十多年的深厚经验，性能优异，具有多项独特技术，适应性广，经北京大学等多家国内著名高校使用与验证，为一高效微波等离子体化学气相沉积制备设备。

1、薄膜沉积室：Φ50×H300 mm石英玻璃真空室；

2、0～800W连续可调输出；频率：2.45GHz；

3、微波传输模式：BJ26波导沿TE10模式传输；

4、微波电源：最大输出功率1000W；

5、压强测量：数显压阻真空计；

6、电源电压：AC 220V 50Hz；

7、用户需自备高纯氢气（99.99%）、高纯甲烷（99.99%）、硅片、超声波清洗机等；

8、工业冷水机（配套附件）

1、进气系统：二路质量流量计；

2、真空系统：DRV-16双极旋片泵，抽速：4L/S；

3、极限真空：6.7×10^-1 Pa；

4、恢复真空：2 Pa；

DH2008A

微波CVD薄膜制备装置

 

1、进气系统：四路质量流量计；

2、真空系统：DRV-16双极旋片泵，抽速：4L/S；

3、极限真空：6.7×10^-1 Pa；

4、恢复真空：2 Pa。

DH2008F

微波CVD薄膜制备装置

 

1、进气系统：四路质量流量计；

2、真空系统：DRV-16双极旋片+FF100/300分子泵；

3、真空测量：数显复合真空计；

4、极限真空：5×10^-4Pa；

5、恢复真空：2×10^-3Pa。