ISSP-SHF-A单晶炉/ISSP-HTF-A气氛热处理程控高温炉

ISSP-SHF-A

单晶炉

本装置由我公司和中国科学院材料物理重点实验室联合研制，由温度控制系统、真空系统和单晶炉炉体等部分组成。

主要实验内容

1、制备金属氧化物类单晶，如SrMoO3等；

2、制备氧化物高温超导体，如钇钡铜氧等；

3、制备非氧化物单晶，如单晶硅、单晶碳化硅等；

4、在1550℃以下大气、真空或气氛保护下进行单晶生长、材料热处理、固相反应材料合成等。

主要技术特点

1、一机多用，可开设多个综合性、研究性实验：既可制备氧化物类单晶，又可制备非氧化物类或厌氧类单晶，具有很高的性能价格比；

2、采用特殊的做炉膛保温材料，具有密度小，保温性能好等特点；

3、采用抽真空结合保护气氛，既可以抽真空，又可以通入不同的气体；

4、温度采用程序控制，最高温度可达：1550℃；温度梯度：约5℃/cm。

主要技术参数

1、电源AC 220V 50/60Hz；额定功率：5kW；

2、炉膛尺寸：Φ185mm×185mm；加热区尺寸：150mm；

3、温度控制范围：100～1600℃，控制精度:±1℃，升温速率：10℃/min；

4、报警保护：上、下限，正、负偏差, 断偶等报警；

5、工艺气体：质量流量计，调节范围：0～200sccm一路

ISSP-HTF-A

气氛热处理程控高温炉

主要实验内容

1、用气相传输法材料合成及制备纳米材料，如ZnO、CdS等；

2、溶液法制备薄膜，如制备庞磁电阻薄膜，制备高温超导薄膜等；

3、固相反应法材料合成；在大气、真空或气氛保护下进行各种材料的热处理。

主要技术特点

1、采用抽真空和保护气氛相结合，既可以抽真空，又可以通入不同的气体，可满足氧化物和非氧化物的气氛热处理；

2、采用特殊的炉膛保温材料，具有密度小、保温性能好等特点；

3、特别的高温热处理范围，突破1300℃的常规温度，可达1550℃；

4、采用智能化程序控制温度，适合于气相传输法制备各类纳米材料；

5、可根据用户特殊要求进行个性化设计。

主要技术参数

1、加热区尺寸：220mm，恒温区尺寸：100mm；

2、控温范围：100～1600℃，控制精度：±1℃，升温速率：最高10℃/min；

3、报警保护：上、下限, 正、负偏差，断偶等报警；

4、电源：AC220V，50/60Hz，额定功率：5kW；

5、炉膛尺寸：Φ60mm×980mm；

6、工艺气体：质量流量计，调节范围：0～200sccm一路

7、抽气系统：机械泵；

8、极限真空：5×10^-1Pa。