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系统可用于开发纳米级的单层及多层功能膜和复合膜,可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜、介质复合膜和其它化学反应膜等。
1、溅射沉积室
溅射沉积室为前开门结构，有观察窗和挡板，磁控靶安装在下底盘，基片转台在上盖板，腔室带防污内衬，可拆卸清洗；
1）沉积室尺寸: D型圆筒形，尺寸约ф350×H450mm，前开门结构；
2）前门结构：采用铰链、铝制前门，手动，上下2个把手，胶圈密封。
2、真空系统
2.1抽气系统
1）采用复合分子泵+直联旋片泵作为真空抽气系统；
2）主抽泵：抽速≥600L/S，额定转速 36000rpm，氮气压缩比≥109；
3）前级泵：采用DRV-24机械泵及电磁阀，抽速：6L/S；
4）主抽阀： CCD-150A（CF）超高真空电动闸板阀；
*真空系统可以升级为进口分子泵和涡旋干泵。
2.2真空测量
1）采用全量程真空计进行测量，测量范围：1×105Pa-1×10-5Pa；
2）自动恒压采用薄膜压强真空规进行测量，测量范围：13Pa-0.013Pa；
*真空测量可以升级为进口全量程冷阴极真空计。
2.3系统性能指标
1）极限真空度：优于6.7×10-5Pa (空载经烘烤除气后）；
2）恢复真空：从大气抽至6.7×10-4Pa＜45min；
3）真空室漏率：关机12小时真空度≤5Pa。（新设备空载）。
3、样品台
1）样品台：抽屉式结构可装载最大4英寸基片托（方片尺寸100×100mm），可以根据客户样品形状和大小定制样品托（不超过上述尺寸）；
2）样品台旋转：转速0-30rpm连续可调；
3）样品台加热：最高温度≥600℃，自动控温及数字显示，精度±0.5℃，可设定升温斜率。加热区内，温度均匀性±5℃；
4）样品台下方设置气动基片挡板；
5）基片可以加-200V 偏压电源。
*标准基片托配夹具，方便装卡不同规格的基片；*样品台可选择水冷，采用基片台背板直接水冷形式；*加热和水冷只能选择一种，不可兼容；
*基片台可按照用户要求个性化定制。
4、磁控溅射靶组件
最多安装三个磁控溅射靶组件
1）磁控溅射靶磁路模块化设计，方便不同应用随时更换，磁场不泡水，长阴极寿命；
2）磁控靶可手动调节溅射角度，靶与基片的距离可调；
3）靶头内有水冷并配有屏蔽罩和气动控制挡板；
4）其中至少一个靶位可溅射磁性材料（如镍或铁等）；
5）靶材大小为直径50.8mm，建议厚度≤5mm，靶材利用率超过40%；
6）镀膜方式：由下往上溅镀。
*根据客户需求配置磁控靶数量或者选用进口品牌；
*强磁靶，可以溅射Ni，Fe等磁性材料，建议厚度不超过3mm。
5、工艺气路
3路质量流量计控制的气路，可外接多种气体（气瓶除外）；
*可根据需求配置气源数量或者选用进口品牌。
6、溅射电源
1）射频电源：功率300W，输出频率：13.56MHz，全自动匹配，数量1套；
2）直流溅射电源：最大功率：500W；电压：0～-800V可调，数量1套。
*根据客户需求配置电源数量或者选用进口品牌。*电源可手动切换使用
7、电气控制
系统采用PLC+液晶屏控制方式，以方便用户进行镀膜工艺参数的摸索；
8、工业冷水机（选配，报价不含）
1）标准制冷量：2941 Kcal/h； 2） 输入功率：1.29 kw。
9、用气要求：腔体报空气体N2，工艺气体Ar、O2、N2，纯度99.99%以上。 | 
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