本实验装置使用砷化镓（GaAs）霍尔传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb）磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。可观测半导体的霍尔效应和磁阻效应两种物理规律，及其作为磁测量不同应用；仪器提供交变磁场，可以观察磁阻元件的倍频效应，具有研究性和相关性的实验特点，适合于基础物理实验和综合性物理实验。

1、了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法；

2、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系；

3、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线，并进行相应的曲线和直线拟合；

4、学习用磁阻传感器测量磁场的方法。

5、观察磁阻元件的倍频效应。

1、I_M：励磁电流，直流0～900mA连续可调，3位半数显；

2、Is：传感器工作电流，直流0～2.5mA连续可调，3位半数显；

3、数字式特斯拉计：测量范围0～1000.0mT，四位半数显，最小分辨率0.1mT，准确度1%；

4、磁阻电压0～2000.0mV，最小分辨率0.1mV，四位半数显，准确度0.1%；