西安明克斯向国内用户现货提供MKS-MRE-II磁阻效应实验仪，欢迎选购。
一、MKS-MRE-II磁阻效应实验仪介绍：
本仪器采用两种材料的传感器：砷化镓（GaAS）霍耳传感器和锑化铟（InSb）传感器，可研究半导体的霍尔效应和磁阻效应两种物理实验规律。仪器具有研究性和设计性两大特点，可用于理工科大学的基础性物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。
二、MKS-MRE-II磁阻效应实验仪技术参数：
1、励磁恒流源： 0～1A，连续可调，分辨率1mA，三位半数字电流表显示。
2、恒流输出电流0～3mA，连续可调，供锑化铟传感器工作的电流。
3、电压表：量程±1999.9mV，四位半数字电压表显示，分辨率0.1mV；
4、数字式毫特仪：四位半数字显示，测量范围0～±1999.9mT，分辨率0.1 mT。
三、MKS-MRE-II磁阻效应实验仪实验内容：
1、研究磁阻传感器电阻与磁感强度的曲线；
2、了解磁阻传感器的工作原理；
3、深入研究磁阻传感器的交流特性。 |
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