我们从物理实验的需求出发,以最基本的PN结半导体器件,开设了一个半导体物理实验,根据PN结的正向压降与其正向电流、温度的关系,研究PN结的伏安特性,测量波尔兹曼常数,估测半导体材料的禁带宽度,从而很好地学习和掌握一些重要的半导体物理知识。
主要实验内容
1、测量同一温度下,正向电压随正向电流的变化关系,绘制伏安特性曲线;
2、在同一恒定正向电流条件下,测绘PN结正向压降随温度的变化曲线,计算灵敏度,估算被测PN结材料的禁带宽度;
3、学习用Execl进行指数函数的曲线回归方法,并计算出玻尔兹曼常数;
4、探究:用给定的PN结测量未知温度。
主要技术特点
1、开放式设计,提供多个通用式的温度插孔,方便插入被测传感器。PN结传感器可以随时取出,进行实验和用于实际温度测量。除PN结传感器外,可根据自有条件,用来测量热敏电阻、铜电阻、热电偶、 AD590和LM35等温度传感器,具有很好的拓展性;
2、精确测量玻尔兹曼常数。没有采取常规的加正向压降测正向微电流的方法,而是设计了一个能稳定输出1nA~1mA范围的精密微电流源,解决了测量微电流跳字、不稳定的问题,能准确地测量正向压降;
3、在常温下就能估测出绝对零度时硅材料的禁带宽度,而不需要在冰水混合物中测量,避免了由于冰水混合物温度失准带来的误差。
主要技术参数
1、控温范围:室温~120℃,温度控制精度:±0.2℃,分辨率:0.1℃,控制方式:PID控制;
2、PN结传感器2个:S9013、C1815,小功率NPN晶体三极管的CB结短路而形成的PN结;
3、电流输出范围1nA~1mA分4段可调,调节细度:最小1nA,开路电压:约5V;
4、微电流显示范围:10-9~2×10-6A,分辨率10-9A;
5、正向压降测量范围:0~2V,分辨率:1mV。 |