DH4501亥姆霍兹线圈磁场实验仪/DH4501A亥姆霍兹线圈磁场实验仪/DH4501B亥姆霍兹线圈磁场综合实验仪/DH4501D亥姆霍兹线圈磁场综合实验仪/DH4501N三维亥姆霍兹线圈磁场综合实验仪/DH4501S三维亥姆霍兹线圈磁场实验仪

DH4501 亥姆霍兹线圈磁场实验仪（交变磁场实验仪）	实验仪是集信号发生、信号感应、测量显示于一体的多用途教学实验仪器，可用于研究交流线圈磁场分布、亥姆霍兹线圈磁场分布。实验仪具有激励信号的频率可变、输出强度连续可调的特点，可以研究不同激励频率、不同磁场强度下，探测线圈上产生不同感应电动势的情况。磁感应法测量亥姆霍兹线圈交流磁场分布。主要技术参数 1、亥姆霍兹线圈架，二个励磁线圈：线圈有效半径105mm；线圈匝数（单个）：400匝；二线圈中心间距：105mm； 2、移动装置：横向可移动距离250mm，纵向可移动距离70mm，距离分辨率1mm； 3、探测线圈：匝数1000，旋转角度360°； 4、频率范围：20～200Hz，频率分辨率：0.1Hz，测量误差：1%； 5、正弦波：输出电压幅度：最大20Vp-p，输出电流幅度：最大200mA； 6、3位半LED数显毫伏表电压测量范围：0～20mV，测量误差：1%。	5150
DH4501A 亥姆霍兹线圈磁场实验仪	由亥姆霍兹线圈实验仪及测试架两部分组成，测量移动装置采用无磁结构。仪器结实耐用、操作简便。数字特斯拉计测量亥姆赫兹线圈直流磁场分布。主要技术参数 1、二个励磁线圈：线圈有效半径110mm，单个线圈匝数500匝；二线圈中心间距110mm；温升不大于10℃的最大负荷电流不小于0.5A； 2、测量磁场传感器：SS495A型集成霍尔传感器； 3、移动装置：轴向可移动距离230mm，径向可移动距离75mm，距离分辨率1mm； 4、恒流源：输出电流：0～0.5A，最大电压24V，3位半数显表，最小分辨率1mA； 5、数字特斯拉计：测量磁场范围0～2.200mT，最小分辨力0.001mT。	5500
DH4501B 亥姆霍兹线圈磁场实验仪	主要实验内容 1、霍尔法测量亥姆赫兹线圈直流磁场分布。理解霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用； 2、测绘霍尔元件的VH—Is，VH—IM曲线，了解霍尔电势差VH与霍尔元件工作电流Is，磁场应强度B及励磁电流和IM之间的关系； 3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布； 4、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。主要技术参数 1、励磁电流I_M：0～0.500A可调，三位半数显，最小分辨率1mA，负载范围：0～40Ω； 2、霍尔片工作电流I_S：0～5.00mA连续可调，最小分辨率0.01mA，三位半数显； 3、霍尔电压V_H：三位半数显表，测量范围0～19.99mV； 4、三档换向开关分别对励磁电流I_M，工作电流I_S、霍尔电势V_H进行正反向换向控制； 5、亥姆霍兹线圈，线圈有效半径：110mm；二线圈中心间距：110mm；线圈匝数：500匝；线圈电阻：33Ω(两线圈串连)； 6、二维可移动装置，横向可移动距离±130mm，纵向可移动距离±50mm。	6000
产品名称/型号	产品配置/技术参数性能	出厂价（元）
DH4501D 亥姆霍兹线圈磁场实验仪	采用恒流源产生恒定的磁场，用集成霍尔传感器测量载流圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上各点的磁感应强度，研究亥姆霍兹线圈的磁场分布。主要技术参数 1、线圈等效半径：100mm，二线圈中心间距：50～200mm连续可调；线圈匝数：500匝/个，线圈电阻：约14Ω； 2、测量磁场传感器：SS495A型集成霍尔传感器； 3、移动装置：X向移动距离±200mm，Y向移动距离±80mm，配有标尺，距离分辨率1mm； 4、励磁电流I_M：0～0.500A可调，3位半数显表，分辨率1mA，负载电阻范围：0～40Ω； 5、数字特斯拉计：测量磁场范围0～2.200mT，最小分辨力0.001mT。	7200
DH4501W 磁场测量与描绘实验仪	主要实验内容 1、学习交变磁场的测量原理和方法。 2、学习用探测线圈测量交变磁场中各点的磁感应强度。 3、测量载流直螺线管轴线上各点磁场的分布情况。主要技术参数 1. 励磁电源：AC15V、18V、24V，50Hz，三档可调，有输出短路保护； 2. 励磁电流： 100～200mA； 3. 螺线管励磁线圈：平均直径：D=0.060m ；长度：L=0.080m； 4. 探测线圈：D=0.012m，匝数：n=800匝； 5. 探测线圈测试范围：轴向：±120mm，径向：±70mm； 6. 探测线圈测试角度范围：±90°； 7. 螺线管线圈：匝数：N=2700匝，允许电流：Imax=500mA； 8. 交流电压表：满量程200mV，最小分辨率0.1mV； 9. 交流电流表：满量程200mA，最小分辨率0.1mA。	5000
DH4501N 三维亥姆霍兹线圈磁场实验仪	可用于霍尔效应实验，并且研究亥姆霍兹线圈的磁场分布规律。主要实验内容 1、学习霍尔效应原理，测绘霍尔元件的V_H—Is，V_H—I_M曲线； 2、测量单个通电圆线圈轴线上（X方向）各点的磁感应强度； 3、测量亥姆霍兹线圈轴线上各点的磁感应强度；比较和验证磁场叠加原理。 4、测量两个通电圆线圈不同间距时的线圈轴线上各点的磁感应强度； 5、测量亥姆霍兹线圈Y方向和Z方向上B的分布；主要技术参数 1、励磁电流I_M：0～0.500A可调，3位半数显，调节细度：1mA； 2、霍尔片工作电流I_S输出范围：直流0～5.00mA，3位半数字表测量，调节细度：10μA，负载电阻范围：0～1KΩ； 3、V_H、Vσ测量输入范围：V_H：直流±0～19.99mV，3位半数字表测量，分辨力10μV；Vσ：直流±0～1999mV，3位半数字表测量，分辨力1mV； 4、亥姆霍兹线圈：线圈等效半径：100mm，二线圈中心间距：50～200mm连续可调；线圈匝数：500匝（单个），线圈电阻：约15Ω； 5、霍尔元件：砷化镓霍尔元件，四端引出，灵敏度>140mV/(mA·T)；霍尔片的厚度的d为0.2mm，宽度为1.5mm，长度L为2.5mm； 6、三维可调装置：X、Y、Z三向分别±20cm、±7cm、±7cm可调。	7600
产品名称/型号	产品配置/技术参数性能	出厂价（元）
DH4501S 三维亥姆霍兹线圈磁场实验仪	主要实验内容 1、测量单个通电圆线圈周围各个方向（X，Y，Z方向）上的磁感应强度； 2、测量亥姆霍兹线圈轴线上各点的磁感应强度； 3、测量两个通电圆线圈不同间距时的线圈轴线上各点的磁感应强度； 4、测量亥姆霍兹线圈X、Y、Z方向上B的分布； 5、测量亥姆霍兹线圈周围三维磁场矢量合成分布； 6、测量通电线圈任意位置的B值。主要技术参数 1、励磁电流输出：0～1.000A，3位半电流表显示，调节步进1mA，稳定精度±1mA，带过流保护。注：在本实验中只要求输出0～0.500A； 2、磁场测量范围：0～19.999mT；最小分辨力0.001mT；可以分别测量通电线圈X，Y，Z轴向磁场分布强度及其三维磁场矢量合成； 3、带有自动清零和锁定功能； 4、亥姆霍兹线圈：线圈等效半径：100mm，二线圈中心间距：50～200mm连续可调；线圈匝数：500匝（单个），线圈电阻：约15Ω； 5、霍尔传感器：3维正交霍尔传感器测量空间不同方向的磁场强度； 6、测量探头移动范围：X轴方向±20cm，Y轴方向±7cm，Z轴方向±7cm。	8100
DH4501T 霍尔效应及应用实验仪	主要实验内容 1、了解霍尔效应的基本原理； 2、测量霍尔电压、霍尔电流和磁场强度之间的关系并计算霍尔灵敏度； 3、测量不同线圈的磁场分布。主要技术参数 1、励磁电流输出范围： 0～0.500A，3位半数显，调节细度：1mA，负载电阻范围：0～40Ω； 2、霍尔片工作电流输出范围： 0～3.50mA，3位半数显，调节细度：10μA，负载电阻范围：0～1.5KΩ； 3、V_H、V_σ测量输入范围：V_H：±0～19.99mV，V_σ：±0～1999mV； 4、霍尔效应实验架：线圈等效半径：100mm，二线圈中心间距100mm；线圈匝数：500匝（单个），线圈电阻：约14Ω； 5、砷化镓霍尔元件，四端引出，元件可以自由插拔更换，灵敏度>150mV/(mA·T)，提供2mm万用表测试接口；霍尔片的厚度d为0.6μm，宽度为60μm，长度L为100μm； 6、三组双刀双掷闸刀开关； 7、圆线圈等效半径：100mm，二线圈中心间距：50～200mm连续可调；线圈匝数：500匝（单个），线圈电阻：约14Ω。 8、三角形线圈：线圈匝数：500匝；有效边长约：278mm； 9、正方形线圈：线圈匝数：500匝；有效边长约：200mm； 10、螺线管：线圈匝数1800匝,有效长度181mm，等效半径21mm； 11、三维可移动装置： X向移动距离±195mm，Y向移动距离±75mm，Z向移动距离±75mm。	13800